Samsung, yüzde 20 daha az enerji tüketen yepyeni bir bellek türü geliştirdi. İlk uygulaması akıllı telefonlarda olacak.
Samsung, faz değişim malzemesi olarak bilinen parçalardan yeni ve daha az enerji tüketen bellek birimleri üreteceğini açıkladı. Örneğin akıllı telefonların pil ömürleri kullandıkları bellek türüne göre yüzde 20 uzatılabilecek.
Bu birimler, ısınınca veri kaydeden ya da silen bileşenlerden oluşuyor ve mevcut benzerlerinden çok daha az enerji harcıyor.
Samsung, bu bellek birimlerinin 2010 yılı içinde üretilmeye başlanacağını açıkladı.
Firma, PCM yani faz değişim bellek çiplerini mevcut tasarımlarla aynı formatta üretecek. Bu sayede yeni çipler, mevcut üretim hattına kolay uyarlanabilecek.
Faz değişim bellek çiplerinin en yaygın biçimi, cama benzer bir malzeme olan germanyum, antimon ve titanyum alaşımından üretiliyor.
Belirli bir voltajın bu belleğe verilmesiyle oluşan ısı, malzemeyi, elektriğe karşı farklı dirençler sergileyen iki ayrı biçime dönüştürüyor.
Sonuç olarak da bilgisayar dilindeki 0 ve 1'leri temsil etmek üzere kullanılabiliyor.
Samsung yöneticileri, Taipei'de düzenledikleri mobil teknoloji forumunda, PCM birimlerinin 512 Mbit olarak üretmeye başlayacaklarını açıkladı.
Şirketin yaptığı laboratuar denemesinin sonuçları 512 Mbit faz değişim belleğinin, verileri bazı flaş bellek tiplerine göre 10 kata kadar daha hızlı okuyup yazabildiğini ortaya koydu.
Samsung'a göre PCM bellek genel tabloda ise mevcut flaş belleğe göre üç kat civarında bir hız artışı sağlıyor.
Samsung'un bu işlemcileri telefonlarda kullanan ilk firma olacağı düşünülüyor.