Birkaç ay önce NAND flash bellek yongalarında 30 nm sürecine geçen Samsung, şimdi de 20 nm mimarisine geçtiğini açıkladı.
Bellek yongalarında küçülme süreci tüm hızıyla devam ediyor. Daha birkaç ay önce 30 nm'lik NAND flash bellek yongalarını tanıtan Samsung, şimdi 25 nm'nin altına iniyor.
Firma, 20 nm mimarisine sahip 32 Gb MLC NAND ürünlerinin ilk örneklerini tanıttı. Bu teknoloji kullanılarak üretilecek olan bellek çözümlerinin ve SD kartların kapasiteleri 4 GB ile 64 GB arasında değişecek.
Düşük maliyet, yüksek performans
20 nm'lik bu yeni bellek yongaların, kapasiteyi artırıp, üretim maliyetlerini azaltmasının yanı sıra bir önceki nesildeki 30 nm'lik modellere göre %30 daha hızlı olacağı iddia ediliyor.